[发明专利]堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装无效

专利信息
申请号: 200410072624.0 申请日: 2004-11-04
公开(公告)号: CN1614780A 公开(公告)日: 2005-05-11
发明(设计)人: 王向军;王仲;赵飞 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/16;H01L25/18;H01L23/00
代理公司: 天津市学苑有限责任专利代理事务所 代理人: 解松凡
地址: 3000*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及到集成电路芯片封装与微电子器件组装技术。堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装,在封装芯片的上下端面分别引出电极,封装芯片的侧面预留跨接电极,跨接电极用于多芯片间连接和间隔跨芯片联接。为了实现堆叠式多芯片组装,封装芯片上下端面分别设有平面跨接连线,构成中间转接层。中间转接层的上下端面同样设有电极,并设有不同的跨接连线,通过中间转接层可实现相邻两个堆叠式双面电极封装集成电路芯片各电极的任意跨接。上下端面电极的形式不限,上端面电极可为微球电极,下端面电极为焊盘电极。本发明的意义在于通过一种新的封装方式和堆叠式电路组装方式,使无PCB的微型电子系统成为可能,可以实现电子系统的微型化集成。
搜索关键词: 堆叠 双面 电极 封装 芯片 组装
【主权项】:
1.堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装,其特征在于封装芯片(1)的上端面(2)引出上电极(3),在下端面(6)引出下电极(5),封装芯片(1)侧面预留跨接电极(4)用于多芯片间联接和间隔跨芯片联接。
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