[发明专利]一种Bi2Te3纳米囊及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410073387.X 申请日: 2004-12-08
公开(公告)号: CN1644509A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: 赵新兵;孙霆;朱铁军;吉晓华;曹一琦 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00;C01B19/04;B82B1/00;B82B3/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开的Bi2Te3纳米囊是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,它的组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。其制备采用的是湿化学法。这种具有中空管状结构特征的Bi2Te3纳米囊有望提高半导体热电性能,可用于制备高性能热电材料,在材料、物理、化学、微电子等领域得到广泛应用。
搜索关键词: 一种 bi sub te 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Bi2Te3纳米囊,其特征在于它是长度与直径比为2~5的无缝中空胶囊,其组分和原子百分含量为:Bi 39.8~40.3%,Te 59.7~60.2%。
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