[发明专利]化学共沉淀制备纳米稀土共混AgSnO2电接触合金及其工艺无效
| 申请号： | 200410073547.0 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1652268A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊勃;杨敏鸽;陈立成;张燕;李英民;丁秉钧;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 西安工程科技学院 |
| 主分类号： | H01H1/02 | 分类号： | H01H1/02;H01H11/04 |
| 代理公司： | 西安慈源有限责任专利事务所 | 代理人： | 鲍燕平 |
| 地址： | 710000陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电触头材料的成分和制备工艺，其特征是：它包括银、氧化锡、氧化镁、搀杂稀土元素组成，各组分重量含量是银70～95％、氧化锡2.5～20％、氧化镁0.025～1％、镧或铈0.025～9％。它通过高能球磨混粉，将银粉与氧化锡、氧化镁、稀土镧或铈的纳米非晶或纳米晶混杂氧化物混粉，制备成含纳米非晶或纳米晶氧化物的Ag和SnO2、MgO、La或Ce的复合粉。这种稀土纳米非晶或纳米晶混杂AgSnO2电接触合金及其制备工艺，它通过稀土元素的添加改善纳米颗粒的结构、分散性和尺寸稳定性，得到纳米非晶或纳米晶的SnO2，z使电触头合金的成型性、电性能得到改善，同时解决了纳米相易于团聚而分散电弧不足的弊端，从而显著降低触点烧蚀速率，提高银基电触头的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 共沉淀 制备 纳米 稀土 agsno sub 接触 合金 及其 工艺 | ||
【主权项】：
1、化学共沉淀制备纳米稀土共混AgSnO2电接触合金及其工艺，其特征是：它包括银、氧化锡、氧化镁、搀杂稀土元素组成，各组分重量含量是银70～95％、氧化锡2.5～20％、氧化镁0.025～1％、镧或铈0.025～9％。
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