[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
| 申请号： | 200410073732.X | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1591147A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朴明在;孔香植;李荣埈;朴亨俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘基片、在该绝缘基片上形成并具有栅极的栅极线、在该栅极线上形成的栅极绝缘层、在该栅极绝缘层上形成的半导体层、具有至少一部分与半导体层重叠的源极且与栅极线交叉的数据线、至少一部分与半导体层重叠且以栅极为中心与源极保持一定间距的漏极、在漏极及数据线上形成的钝化层、在钝化层上形成且与漏极电连接的像素电极。像素电极具有与像素电极连接且与数据线重叠的辅助图案。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；栅极线，在所述绝缘基片上形成且具有栅极；栅极绝缘层，在所述栅极线上形成；半导体层，在所述栅极绝缘层上形成；数据线，具有至少一部分与所述半导体层重叠的源极且与所述栅极线交叉；漏极，至少一部分与所述半导体层重叠，且以所述栅极为中心与所述源极保持一定间距；钝化层，在所述漏极和所述数据线上形成；以及像素电极，在所述钝化层上形成且与所述漏极电连接，其中所述像素电极具有与所述像素电极连接并与所述数据线重叠的辅助图案。
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