[发明专利]波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200410073859.1 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1747264A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张靖;赵玲娟;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括：利用金属有机物化学气相淀积的方法在n型InP衬底上依次外延下限制层，多量子阱，上限制层，InP缓冲层；淀积介质膜；掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区留下介质膜，其余区域腐蚀掉介质膜；进行P离子注入，然后腐蚀掉表面剩下的介质膜；在表面重新淀积介质膜；快速热退火；腐蚀掉介质膜7，InP缓冲层；在波导区制作光栅；刻蚀阻止层；制作脊型结构，形成波导；利用掩膜光刻，并进行光刻腐蚀，形成隔离沟，大面积淀积SiO2层，并进行He离子注入使隔离沟成为高阻区；在脊形条上开电极窗口，溅射P面电极，减薄后，背面蒸发N面电极；解理出单个波长可调谐分布布拉格反射激光器管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 调谐 分布 布拉格 反射 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用金属有机物化学气相淀积的方法在n型InP衬底上依次外延下限制层，多量子阱，上限制层，InP缓冲层；步骤2：淀积介质膜；步骤3：掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区留下介质膜，其余区域腐蚀掉介质膜；步骤4：在外延片表面进行P离子注入，然后腐蚀掉表面剩下的介质膜；步骤5：在表面重新淀积介质膜；步骤6：将外延片置于快速退火炉中，在氮气保护环境下，快速热退火；步骤7：腐蚀掉介质膜，InP缓冲层；步骤8：采用全息曝光技术和干湿法刻蚀技术在波导区制作光栅；步骤9：利用MOCVD方法外延生长p-InP，p-InGaAsP刻蚀阻止层，p-InP，p-InGaAs；步骤10：利用湿法腐蚀和刻蚀阻止层，制作脊型结构，形成波导；步骤11：利用掩膜光刻，并进行光刻腐蚀，形成隔离沟，大面积淀积SiO2层，并进行He离子注入使隔离沟成为高阻区；步骤12：在脊形条上开电极窗口，溅射P面电极，减薄后，背面蒸发N面电极；步骤13：解理出单个波长可调谐分布布拉格反射激光器管芯。
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