[发明专利]氮化镓系发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 200410073932.5 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1747189A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;涂如钦;武良文;温子稷;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能同时提高其发光效率和成长出磊晶特性较佳的磊晶膜的氮化镓系发光二极管的制作方法。是位于N型氮化镓接触层和P型氮化镓接触层之间，由N型氮化镓接触层往上依序分别形成一下势垒层(Lower BarrierLayer)、至少一层的中间层(Intermediate Layer)、以及一上势垒层(UpperBarrierLayer)，亦即是以上、下势垒层包夹至少一层中间层的结构。当中间层的数目大于一时，亦即上、下势垒层包夹多层中间层时，上下相邻的中间层和中间层之间，还包夹有一中间势垒层(Intermediate BarrierLayer)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系发光二极管的发光层结构的制作方法，此氮化镓系发光二极管是以蓝宝石为基板，于此蓝宝石基板从下而上依序分别包含有一N型氮化镓接触层、一发光层覆盖该N型氮化镓接触层的部份表面、以及一P型氮化镓接触层覆盖该发光层，该P型氮化镓接触层和该N型氮化镓接触层的未被覆盖的表面上分别有一正电极和一负电极，其中，该发光层从下而上依序分别包含有：(1)一下势垒层，该下势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN，0≤x，y≤1)为材料；(2)至少一层重复叠加的中间层，其中，当该中间层数大于一时，上下相邻的该中间层之间，夹有一中间势垒层，该中间势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-i-jGaiInjN，0≤i，j≤1)为材料；以及(3)一上势垒层，该上势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN，0≤x，y≤1)为材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于璨圆光电股份有限公司，未经璨圆光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410073932.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用T型图案来形成较小接触孔的方法
- 下一篇：二工位一步法注吹装置
