[发明专利]在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法无效
| 申请号： | 200410074362.1 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1747128A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 时文华;李传波;王容伟;罗丽萍;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在Si基片上生长Si缓冲层，改善衬底晶体质量；(2)降低生长温度，生长Ge浸润层；(3)中断10～40秒，抽走反应气体；(4)在Ge浸润层上通过向生长室通入B2H6引入硼原子；(5)中断10～40秒后，生长Ge顶层，形成Ge量子点。用此方法得到的Ge量子点尺寸小、密度高、分布均匀，有利于实现Si基光电应用。原子力分析其密度达到4.6×1010cm－2，平均底宽和高度分别为32nm和1.2nm。 | ||
| 搜索关键词： | si 基片上 生长 高密度 超小型 ge 量子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在Si基片上生长Si缓冲层，改善衬底晶体质量；(2)降低生长温度，生长Ge浸润层；(3)中断10～40秒，抽走反应气体；(4)在Ge浸润层上通过向生长室通入B2H6引入硼原子；(5)中断10～40秒后，生长Ge顶层，形成Ge量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
