[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法有效
| 申请号： | 200410074540.0 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1746329A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 舒芳安 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李海燕 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形铟锡 氧化物 薄膜 以及 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，其特征是包括下列步骤：于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜；以及进行快速热退火处理，以将该非晶形铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。
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