[发明专利]软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺有效
| 申请号： | 200410074623.X | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1603458A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡育平 | 申请（专利权）人： | 蔡育平 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 510080广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺。包括下列步骤：在负偏压300－400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗；在负偏压50－80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5－1微米；在负偏压50－80V交替镀不锈钢膜层与银膜层，膜厚为1－2微米；在负偏压50－80V镀纯银膜层3－5微米；在负偏压0V镀纯银膜层0.5－1微米。软磁铁氧体磁心经此工艺沉积的银电极，膜厚5－8微米，较化学方法的20－30微米镀膜厚度大大节省原材料，能抗420℃锡炉焊接4分钟以上，而90％的银电极仍然可焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 磁铁 氧体磁心 磁控溅射 真空 镀银 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺，首先将软磁铁氧体磁心放在真空炉内进行加热，其特征在于还包括下列步骤：a.在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗；b.在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米；c.在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层，膜厚为1-2微米；d.在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米；e.在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。
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