[发明专利]一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法有效
| 申请号： | 200410074677.6 | 申请日： | 2004-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1750242A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;钱鹤;谢玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法，通过工艺诱生应力工程在沟道区引入希望的应力来提高沟道中空穴迁移率。该方法的核心就是在PMOS延伸区低能BF2 (或B)注入前，首先对Si延伸区进行Ge预非晶化注入，然后再低能注入BF2或B。这一方法不仅仅提高了B的激活效率，使PMOS延伸区薄层电阻大大降低，更重要的是它使空穴迁移率大幅度提高，其本质是沟道区在应力作用下能带结构发生变化所致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pmos 场效应 晶体管 空穴 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法，包括以下步骤：步骤1：在反应离子刻蚀多晶硅形成栅电极后，低压化学汽相沉积正硅酸乙酯，710-750℃热分解SiO2-1薄膜，厚度20-40nm；步骤2：反应离子刻蚀SiO2-1，形成侧墙-1，压力200-250mτ，射频功率250-350W，CHF3/CF4/Ar＝40-60sccm/5-16sccm/200-300sccm，无过刻蚀，软刻蚀5-10秒；步骤3：锗非晶化注入，能量15-40Kev，剂量2-8×1014cm-2；步骤4：BF2或B低能注入，能量5-8Kev，剂量3-6×1014cm-2；步骤5：低压化学汽相沉积正硅酸乙酯热分解SiO2-2，温度710-750℃，厚度100-150nm；步骤6：反应离子刻蚀SiO2-2，形成侧墙-2，压力200-250mτ，射频功率250-350W，CHF3/CF4/Ar＝40-60sccm/5-16sccm/200-300sccm；步骤7：BF2源/漏注入，能量25-35Kev，剂量1.5-3×1015cm-2；步骤8：快速热退火，温度1000-1020℃，时间4-8秒，形成源/漏结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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