[发明专利]NAND快闪存储器件及其读取方法

摘要

本发明提供一种NAND快闪存储器件及其读取方法，其中在读操作期间，将一接地电压施加至未选定单元块的串及接地选择晶体管上以增加一串线(string line)的电阻来防止由于反馈偏压效应(back－bias effect)而导致的泄漏电流。减少的位线泄漏电流会增加在被编程与被擦除的单元之间的导通/关断电流比以减少其中的感测时间，由此形成一读程范围(read trip range)以防止由数据保持及读取干扰导致的阈值电压的变化。可通过电绝缘该些单元块之间的源极选择晶体管来将电压独立地施加至源极选择线上。可通过电连接相邻单元块之间的源极选择晶体管来减少源极放电晶体管的数量。

主权项

1.一种NAND快闪存储器件，其包含：一单元块，其包括一根据一局部串选择信号传送多个位线信号的串选择器、一根据一局部源极选择信号SSL传送一共源极线信号的源极选择器、一根据多个位线信号、该共源极线信号及多个局部字线信号储存预定数据的单元串单元；一X解码器，其根据一操作信号将一全局串选择信号、一全局源极选择信号及多个全局字线信号各自传送至该局部串选择信号、该局部源极选择信号及多个该些局部字线信号；及一切换电路，其根据一预定的控制信号将一接地电压信号施加至该局部串选择信号及该局部源极选择信号。