[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410074909.8 申请日: 2004-08-30
公开(公告)号: CN1595641A 公开(公告)日: 2005-03-16
发明(设计)人: 井野口浩 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李贵亮;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种内设进行收发波长短的光的元件,进行和外部的光信号的输入输出的半导体装置及其制造方法。在由底部(12A)及侧部(12B)构成且上部具有开口部的壳体上放置半导体元件(13)。引线(11)配置成埋入底部(12A)且一端接近半导体元件(13)。半导体元件(13)和引线(11)由金属细线(14)连接。壳体(12)的开口部由对半导体元件(13)收发的光透明的材料构成的盖部(15)覆盖。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:壳体,其由底部及侧部构成,上部具有开口部;半导体元件,其固定粘接在所述底部的表面,且其表面设有受光部或发光部;引线,其埋入所述底部配置成一端接近所述半导体元件;金属细线,其连接所述半导体元件和所述引线;盖部,其由对所述受光部接收的光或所述发送部发出的光具有透明性的材料构成,且封堵所述开口部。
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