[发明专利]制备透明导电层压材料的方法

摘要

本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80－150℃，真空度为8×10^－3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1－6％重量的Sn原子含量，膜厚为15－30nm，霍尔迁移率为15－28cm²/V·S，载流子密度为2×10²⁰/cm³至5×10²⁰/cm³，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30－45cm²/V·S，载流子密度为2×10²⁰/cm³至7×10²⁰/cm³，而获得透明导电层压材料。

主权项

1.一种用于制备透明导电层压材料的方法，其包括：(a)在包含有机聚合物模制品的衬底上溅射成膜形成含有In·Sn复合氧化物的透明导电层的步骤，和(b)随后的后加热步骤以制备具有在衬底上的透明导电层的透明导电层压材料，其中步骤(a)是下述步骤，其中使用具有占In原子和Sn原子总重量的1-6％的Sn原子的金属靶材或氧化物靶材，在衬底温度为80-150℃下抽真空至8×10-3Pa或更低，将氧气与Ar气一起导入，在衬底上进行溅射成膜以形成含有In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，该复合氧化物的Sn原子的量占In原子和Sn原子总重量的1-6％，薄膜厚度为15-30nm，霍尔迁移率为15-28cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3；步骤(b)是下述步骤，其中步骤(a)形成的无定形透明导电层在低于120℃的温度下进行热处理，以将其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30-45cm2/V·S，且载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3。