[发明专利]无机取向膜及其形成方法、电子器件用基板、液晶面板有效
| 申请号： | 200410074939.9 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1591134A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 太田英伸;远藤幸弘 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337;G02F1/13;G03B21/00;G02B27/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐光性优异、并且能够使之发生预倾斜角的无机取向膜，配备有这种无机取向膜的电子器件用基板、液晶面板及电子设备，以及形成这种无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法，利用磁控溅射法在基材上形成无机取向膜，其中，令前述基材附近的气氛的压力，在5.0×10－2Pa以下，使等离子体碰撞与前述基材对向设置的靶，引出溅射粒子，将前述溅射粒子从相对于前述基材的形成前述无机取向膜的面的垂直方向倾斜规定的角度θs的方向，照射到前述基材上，在前述基材上，形成主要由无机材料构成的无机取向膜。规定的角度度θs，在60°以上。基材与靶的距离，在150mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 取向 及其 形成 方法 电子器件 用基板 液晶面板 | ||
【主权项】：
1、一种无机取向膜的形成方法，利用磁控溅射法在基材上形成无机取向膜，其特征在于，将前述基材附近的气氛的压力设在5.0×10-2Pa以下，使等离子体碰撞与前述基材对向设置的靶，引出溅射粒子，将前述溅射粒子从相对于前述基材的形成前述无机取向膜的面的垂直方向仅倾斜规定的角度θs的方向，照射到前述基材上，在前述基材上，形成主要由无机材料构成的无机取向膜。
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