[发明专利]一种非晶硅光电池的制造方法

摘要

一种非晶硅光电池的制造方法，采用蚀刻非晶硅的制造工艺技术替代原有的激光加工非晶硅的制造工艺技术，生产技术工艺简单，适应性强，适于工业化大批量生产应用，易于推广；本发明所制造的非晶硅光电池，具有不受外形及单元电池图形的限制，产品性能优越，适应性强，生产成本低的特点。

主权项

1、一种非晶硅光电池的制造方法，其特征在于，所述的非晶硅光电池的制造方法的工艺过程为：透明导电膜玻璃基片→蚀刻加工透明电极→清洗玻璃基片→沉积非晶硅层→背电极的加工制备→蚀刻加工非晶硅层→导电连接层的加工制备→保护层的加工制备→引出电极的加工制备→切割加工→测试；具体制造工艺步骤为：a、在一定尺寸规格的透明导电膜玻璃基片上，按一定数量集成排版的非晶硅光电池的透明电极图形设计，将抗蚀油墨丝印于该玻璃基片的透明导电膜面上形成集成透明电极图形的抗蚀油墨层并烘干固化；b、将丝印好透明电极抗蚀保护油墨并干燥后的玻璃基片，送入蚀刻透明导电膜的设备中，按透明导电膜蚀刻工艺将裸露的透明导电膜蚀刻干净；然后，采用去除抗蚀油墨的工艺将玻璃基片上的抗蚀油墨去除干净；c、将已去除抗蚀油墨的玻璃基片，送入无尘环境的玻璃清洗机中，按清洗工艺清洗该玻璃基片；d、将已经步骤c清洗好的玻璃基片，在无尘环境中装入基片玻璃夹具中，按非晶硅沉积工艺要求，预热后送入非晶硅沉积炉中沉积非晶硅薄膜；e、在已如上制作的非晶硅薄膜的玻璃基片上，采用磁控溅射或真空蒸镀工艺制作铝膜电极层；f、在已如上制作的铝膜背电极层的玻璃基片上，按与透明电极图形排版设计相对应的图形，采用特殊的制造成形工艺形成铝膜背电极；g、在已如上制作的铝膜背电极的玻璃基片上，按蚀刻非晶硅层的排版设计图形印制蚀刻非晶硅的抗蚀油墨图层；h、将已如上印制蚀刻非晶硅的抗蚀油墨图层的玻璃基片，送入蚀刻非晶硅的设备中蚀刻非晶硅层的连接窗口或连接区或无硅区，将连接窗口内或连接区内或无硅区内的非晶硅去除干净；i、在已如上制作的蚀刻非晶硅层后的玻璃基片上，按导通连接层的排版设计图形印制导通连接层图层，将相邻的非晶硅光电池单元电池间通过非晶硅层的连接窗口或连接区实现相邻背电极与透明电极的接触连接；j、在已如上制作的导通连接层图层的玻璃基片上，按保护漆的排版设计图形印制保护漆图层，将背电极、导通连接层图层及非晶硅层与空气保护隔绝；k、在已如上制作的保护漆图层的玻璃基片上，按与保护漆图形排版设计相对应的引出电极图形排版设计要求，印制非晶硅光电池的引出电极；L、将已印制好引出电极的玻璃基片，按该种非晶硅光电池的尺寸规格及外形加工的工艺要求，将玻璃基片上集成排列的该种非晶硅光电池切割加工为单体非晶硅光电池；m、将已切割加工为单体的非晶硅光电池按电性能测试的技术要求进行测试。