[发明专利]采用聚焦射束装置快速对工件进行取样分析的方法无效

专利信息
申请号: 200410075149.2 申请日: 2004-09-02
公开(公告)号: CN1591813A 公开(公告)日: 2005-03-09
发明(设计)人: H·S·冯哈拉奇;H·G·塔佩 申请(专利权)人: FEI公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温大鹏
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在生产工件例如IC晶片的生产工艺中,需要通过分析晶片的样品监测生产过程的质量。因为这种生产工艺是在高成本的生产环境中进行的,所以产品流不应当受到晶片取样操作的影响。另外,取样和将样品送出晶片流不应当造成对晶片的任何污染。在已知的方法中,将取样的晶片从生产流程中取出,并且在取样之后,晶片不再返回到生产流程中,这样便负面影响生产流程的效率。在本发明中,在FIB装置中取样,样品通过不穿过FIB工件口的路径取出,因此,可以在FIB中取出样品而不影响晶体的流动。
搜索关键词: 采用 聚焦 束装 快速 工件 进行 取样 分析 方法
【主权项】:
1.一种采用聚焦射束装置(38)快速对工件18采取分析样品(44)的方法,包括:通过工件口(26)将工件(18)插入到聚焦射束装置(38)的可调节室(36)中;用聚焦射束装置(38)从工件(18)上进行至少部分取样,取出样品(44);通过样品取出路径(46,48)取出样品(44),该路径不穿过工件口(26),由此可以将样品从聚焦射束装置中取出而不影响从中取出样品的工件流。
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