[发明专利]采用聚焦射束装置快速对工件进行取样分析的方法无效
申请号: | 200410075149.2 | 申请日: | 2004-09-02 |
公开(公告)号: | CN1591813A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | H·S·冯哈拉奇;H·G·塔佩 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在生产工件例如IC晶片的生产工艺中,需要通过分析晶片的样品监测生产过程的质量。因为这种生产工艺是在高成本的生产环境中进行的,所以产品流不应当受到晶片取样操作的影响。另外,取样和将样品送出晶片流不应当造成对晶片的任何污染。在已知的方法中,将取样的晶片从生产流程中取出,并且在取样之后,晶片不再返回到生产流程中,这样便负面影响生产流程的效率。在本发明中,在FIB装置中取样,样品通过不穿过FIB工件口的路径取出,因此,可以在FIB中取出样品而不影响晶体的流动。 | ||
搜索关键词: | 采用 聚焦 束装 快速 工件 进行 取样 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用聚焦射束装置(38)快速对工件18采取分析样品(44)的方法,包括:通过工件口(26)将工件(18)插入到聚焦射束装置(38)的可调节室(36)中;用聚焦射束装置(38)从工件(18)上进行至少部分取样,取出样品(44);通过样品取出路径(46,48)取出样品(44),该路径不穿过工件口(26),由此可以将样品从聚焦射束装置中取出而不影响从中取出样品的工件流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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