[发明专利]带电压限制装置的晶体管电路及基极－发射极电阻的应用无效
| 申请号： | 200410075214.1 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1592095A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 彼得·夫洛赫尔斯;哈特穆特·米歇尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博施有限公司 |
| 主分类号： | H03G11/00 | 分类号： | H03G11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有至少一个晶体管(2)及一个限制晶体管的集电极－发射极电压的电压限制装置(3)的晶体管电路(1)，其中该电压限制装置(3)具有一个配置给晶体管(2)的基极－发射极电阻(4)，该电阻的电阻值根据晶体管(2)的集电极－发射极区段的预选择的击穿电压来确定。此外本发明涉及具有该晶体管电路(1)的点火装置及涉及基极－发射极电阻(4)应用于：借助击穿电压实现晶体管(2)的集电极－发射极区段的电压限制或影响晶体管(2)的集电极－发射极区段的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 限制 装置 晶体管 电路 基极 发射极 电阻 应用 | ||
【主权项】：
1.具有至少一个晶体管及一个限制该晶体管的集电极-发射极电压的电压限制装置的晶体管电路，其特征在于：该电压限制装置(3)具有一个配置给该晶体管(2)的基极-发射极电阻(4)，该电阻的电阻值根据晶体管(2)的集电极-发射极区段的一个预选择的击穿电压来确定。
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