[发明专利]在含SIGE衬底上降低硅化物形成温度有效
| 申请号： | 200410076893.4 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1747138A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 小西利尔·卡布莱尔;罗伊·A·卡鲁瑟斯;陈佳;克里斯托弗·德塔维尼尔;詹姆斯·M·哈伯;克里斯蒂安·拉瓦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种解决存在Ge原子时，二硅化钴形成过程中存在的成核温度升高的方法。获得硅化物形成温度的降低是通过首先，在一种含SiGe衬底顶上提供一种至少包括Ni的Co层的结构，Ni作为一种添加元素。然后，对该结构进行一种自对准硅化物处理过程，包括第一退火，选择刻蚀步骤和第二退火，以在含SiGe衬底上形成一种(Co，Ni)二硅化物固溶体。至少包括Ni的Co层可以包括一种Co和Ni的合金层、一种Ni/Co叠层或一种Co/Ni叠层。同时还提供了一种在含SiGe衬底上的(Co，Ni)二硅化物固溶体的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | sige 衬底 降低 硅化物 形成 温度 | ||
【主权项】：
1.一种在含SiGe衬底表面上制作硅化物的方法，包括如下步骤：在含SiGe衬底上提供一种至少包含Ni的Co层的结构；以及对该结构进行一种自对准硅化物处理过程，使得能够在所述含SiGe衬底上形成一种(Co，Ni)二硅化物固溶体，借以使得对比于不含所述Ni的Co层，其中所述的Ni降低了二硅化物的形成温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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