[发明专利]集成电路系统及其制造方法有效
申请号: | 200410076994.1 | 申请日: | 2004-08-30 |
公开(公告)号: | CN1604326A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | U·奥塞勒奇纳 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/66;H01L21/82 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种集成电路系统及其制造方法。其中,在一半导体基板12上之该集成电路系统10系包括配置于该半导体基板之一电路区域14a中的一集成电路14,以及位于该半导体基板12上、且用于侦测在该半导体基板12中之一机械应力组件的一应力灵敏结构16,其中,该应力灵敏结构16系加以执行,以提供取决于该机械应力组件的一输出信号,而对一激励以及对一机械应力组件产生反应,其中,该应力灵敏结构16系被配置于该半导体基板12的一传感器区域16a之中,以及其中,该电路区域14a以及该传感器区域16a系于空间上彼此分隔。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在一半导体基板(12)上的集成电路系统(10),其系包括:一集成电路(14),其系配置于该半导体基板之一电路区域(14a)之中;以及一应力灵敏结构(16),其系位于该半导体基板(12)之上,并系用于侦测在该半导体基板(12)上之一机械应力组件,其中,该应力灵敏结构(16)系加以执行,以提供取决于该机械应力组件的一输出信号(Sout),而对一激励以及对一机械应力组件产生反应,其中,该应力灵敏结构(16)系被配置于该半导体基板(12)的一传感器区域(16a)之中,以及其中,该电路区域(14a)以及该传感器区域(16a)系为空间上分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的