[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200410077053.X | 申请日: | 2004-09-10 |
公开(公告)号: | CN1747190A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 谢明勋;蔡嘉芬 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L51/50;H01S5/00;H05B33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法,此半导体发光元件具有一不透光基板、形成于此不透光基板上的一结合结构、形成于此结合结构上的一半导体发光叠层、以及形成于此半导体发光叠层上的一荧光材料结构,且此半导体发光叠层是分离自一原始成长基板。本发明的半导体发光元件的制造方法包括有分离一半导体发光叠层自一原始成长基板、结合半导体发光叠层至一不透光基板上、及形成一荧光材料结构于半导体发光叠层上方。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,包括:一不透光基板;一结合结构;至少一个半导体发光叠层,藉由该结合结构而与该不透光基板结合,并可以发出一原始光线,且该半导体发光叠层分离自一原始成长基板;及一荧光材料结构,设置于该半导体发光叠层上方并大体上符合该半导体发光叠层的形状,且该荧光材料结构包括一荧光材料,该荧光材料可以吸收该原始光线并产生一转换后光线。
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