[发明专利]电子发射装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410077062.9 申请日: 2004-09-10
公开(公告)号: CN1622273A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 丁奎元;黄成渊 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J1/30;H01J29/02;H01J9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种电子发射装置,包括彼此相对设置并在它们之间有一预定间隙的一第一衬底和一第二衬底。一第一电极,形成在第一衬底上。一第二电极,形成在第一衬底上并与第一电极相交叉。每一第二电极包括一辅助电极和一形成的厚度小于该辅助电极厚度的主电极。一绝缘层,其插入在该至少第一电极和至少第二电极之间。至少一个阳极形成在该第二衬底上;以及形成在该至少一个阳极的一个表面上的荧光层。
搜索关键词: 电子 发射 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种电子发射装置,包括:彼此相对设置并在它们之间有一预定间隙的第一衬底和第二衬底;至少一个形成在第一衬底上的第一电极;至少一个形成在该第一衬底上并与所述第一电极相交叉的第二电极,每一第二电极包括一辅助电极及一形成的厚度小于所述辅助电极厚度的主电极;一插入在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的绝缘层;至少一个形成在所述第二衬底上的阳极;以及形成在所述至少一个阳极的一个表面上的荧光层。
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