[发明专利]焊垫下衬底结构及焊垫结构无效
| 申请号： | 200410077071.8 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1747160A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡第奇;陈升佑 | 申请（专利权）人： | 络达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焊垫下衬底结构及焊垫结构，减少元件内噪声传递的路径，以提高半导体装置的电性能。该焊垫下衬底结构包括：一衬底，为一第一半导体类型，具有一焊垫区；以及一噪声防止结构于上述衬底上，至少围绕上述焊垫区。上述焊垫结构则包含上述焊垫下衬底结构；一焊垫；以及介于上述焊垫下衬底结构与上述焊垫的一介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 焊垫下 衬底 结构 | ||
【主权项】：
1.一种焊垫下衬底结构，包括：一衬底，为一第一半导体类型，具有一焊垫区；以及一噪声防止结构于该衬底上，至少位于该焊垫区旁。
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