[发明专利]改善有缺陷的半导体材料质量的方法有效
| 申请号： | 200410077160.2 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1622294A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·W·比戴尔;基思·E·佛格尔;谢里斯·纳拉斯赫姆哈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种方法，其中，对有缺陷的半导体晶体材料执行非晶化步骤，随之以热处理步骤。非晶化步骤使有缺陷的半导体晶体材料的包括表面区的区域部分或完全非晶化。然后执行热处理步骤，以便使有缺陷的半导体晶体材料的非晶化区域再结晶。在本发明中，利用从有缺陷的半导体晶体材料的非非晶化区域的固相晶体再生长，达到了再结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 缺陷 半导体材料 质量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善有缺陷的半导体晶体材料的材料质量的方法，它包含下列步骤：对有缺陷的半导体晶体材料的一个区域进行部分或完全非晶化；以及对非晶化了的区域进行热处理，以便使所述部分或完全非晶化了的区域再结晶，形成与有缺陷的半导体晶体材料相比具有降低了的缺陷密度的再结晶区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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