[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200410077378.8 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787237A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李刚;潘群峰;吴启保 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体材料，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括氧化铟锡层和镍金合金层。制备所述发光二极管芯片的步骤包括：1)刻蚀部分暴露N型氮化镓；2)在P型氮化镓上先后蒸镀或溅射镍金，然后再进行合金；3)蒸镀或溅射氧化铟锡层，然后再进行合金；4)蒸镀或溅射PN电极。由于本发明的发光二极管芯片保留了传统的氧化镍金与P型氮化镓接触，可以获得较理想的欧姆接触；并且在镍金合金上加了一层较厚的氧化铟锡，有利于电流的横向传输，可以改善电流分布，对于整个发光二极管还可以保持较好的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底(1)、在所述衬底(1)上外延生长的N型氮化镓(2)和P型氮化镓(4)半导体材料，以及设置在所述N型氮化镓(2)和P型氮化镓(4)之间的量子阱(3)，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括设置在所述P型氮化镓(4)上的镍金合金层(5)和设置在所述镍金合金层(5)上的氧化铟锡层(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于方大集团股份有限公司，未经方大集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410077378.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
