[发明专利]电源电压产生电路无效
| 申请号： | 200410077633.9 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1790203A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 江武;黄永兆;李云 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/04 | 分类号： | G05B19/04;H02J9/00;G06F1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电源电压产生电路，NMOS晶体管与PMOS晶体管的漏极形成电源电压输出端，源极与电源相连，栅极分别耦合至第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极。第一开关晶体管、第二开关晶体管与第三开关晶体管的集电极经由电阻与电源相连，发射极接地。第二开关晶体管的基极耦合至第一开关晶体管的集电极，第三开关晶体管的基极经一电阻耦合至第一开关晶体管的集电极。第一开关晶体管的基极经由电阻耦合至一信号源。通过利用本发明，可以避免计算机等电子产品在从“休眠”状态进入正常工作状态时发生死机现象，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电源电压产生电路，包括一NMOS晶体管(Q3)、一PMOS晶体管(Q4)、一第一开关晶体管(Q5)及一第二开关晶体管(Q6)，NMOS晶体管(Q3)与PMOS晶体管(Q4)的漏极相互连接形成一电源电压输出端；所述第一开关晶体管(Q5)的集电极经一第一电阻(R2)接至一备用电源端，发射极接地；所述第二开关晶体管(Q6)的基极耦合至所述第一开关晶体管(Q5)的集电极，集电极经一第二电阻(R4)接至一第一系统电源端，发射极接地；所述NMOS晶体管(Q3)的栅极接至所述第二开关晶体管(Q6)的集电极，源极接至一第二系统电源端；所述PMOS晶体管(Q4)的源极接至所述备用电源端；其特征在于，该电路还包括：一第三开关晶体管(Q7)，其基极经由一第三电阻(R3)与所述第一开关晶体管(Q5)的集电极相连，其集电极经由一第四电阻(R5)与所述备用电源端相连，其发射极接地；所述第一开关晶体管(Q5)的基极经一第五电阻(R1)与一信号源相连；及所述PMOS晶体管(Q4)的栅极接至所述第三开关晶体管(Q7)的集电极。
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