[发明专利]一种促进甲烷氧化菌生长的方法无效

专利信息
申请号: 200410077987.3 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1587382A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 罗明芳;吴昊;邢新会 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12N1/38
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 关畅
地址: 1000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种促进甲烷氧化菌生长的方法,涉及微生物发酵领域。本发明所提供的促进甲烷氧化菌生长的方法,是在培养基中培养甲烷氧化菌,其中,所述培养基中添加有有机酸。本发明采用向培养基中添加三羧酸循环中有机酸的方式,巧妙地通过对甲烷氧化菌生长代谢流的调控,强化其三羧酸循环过程,促进甲烷氧化菌的生长代谢,从而提高细胞的比生长速率和培养液中细胞密度,细胞密度一般可以达到相同条件下不加有机酸的3~4倍。本发明方法简单,适于进行甲烷氧化菌大规模高密度培养,能达到甲烷生物转化制甲醇的要求,也可用于催化C1~C20烷烃化合物羟基化和C2~C10烯烃化合物的环氧化,具有广阔的工业应用前景。
搜索关键词: 一种 促进 甲烷 氧化 生长 方法
【主权项】:
1、一种促进甲烷氧化菌生长的方法,是在培养基中培养甲烷氧化菌,其特征在于:所述培养基中添加有有机酸。
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