[发明专利]一种晶圆氧化膜边缘的去除方法及装置无效

专利信息
申请号: 200410077997.7 申请日: 2004-09-23
公开(公告)号: CN1753154A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: 张果虎;王喆;王敬;徐继平;刘斌;万关良;周旗钢;屠海令 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;C23F1/24
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人: 郭佩兰
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶圆氧化膜边缘的去除方法及装置,该方法包括以下几个步骤:将放有晶圆硅片的片架对准转轮,使硅片与转轮接触;转动转轮,带动片架内硅片转动,转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘作用;与电机转动的同时,开动位于片架上方的风机,调节箱体内空气中氢氟酸的浓度;取出片架,检测晶圆氧化膜边缘。本发明的优点是:片架位于转轮的上方,转轮上有由布条包覆形成的布袋,片架内的硅片与转轮接触,转轮的下方设有氢氟酸槽,依靠转轮上布袋浸有的氢氟酸,在转轮转动的同时,硅片边缘上的二氧化硅被氢氟酸清洗,整个工艺和设备均简单,成本低,操作方便,效率高,便于推广应用。
搜索关键词: 一种 氧化 边缘 去除 方法 装置
【主权项】:
1、一种晶圆氧化膜边缘的去除方法,其特征在于它包括以下几个步骤:(1)、将放有晶圆硅片的片架对准转轮,使硅片与转轮接触;(2)、转动转轮,带动片架内硅片转动,转轮上布袋浸有的氢氟酸与氧化膜边缘作用;(3)、与电机转动的同时,开动位于片架上方的风机,调节箱体内空气中氢氟酸的浓度;(4)、取出片架,检测晶圆氧化膜边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司,未经北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410077997.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top