[发明专利]晶片级CSP的制造方法无效
| 申请号： | 200410078175.0 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1604295A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 村上武彦 | 申请（专利权）人： | 南株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片级CSP的制造方法，为了大幅地提高整体的制造效率以便更有效地进行热应力缓和柱、绝缘层和焊料块的形成。在晶片(1)上形成由电镀形成的再布线电路(3)的同时，在该再布线电路(3)上形成由焊料等导电材料形成的热应力缓和柱(4)，另外，在这些再布线电路(3)和热应力缓和柱(4)的周围，除了该热应力缓和柱(4)的上面，形成由聚酰亚胺等构成的绝缘层(6)，此外，在所述热应力缓和柱(4)上形成焊料块(7)，而且，通过丝网印刷来形成所述热应力缓和柱(4)、绝缘层(6)和焊料块(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 csp 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片级CSP的制造方法，其在晶片上形成由电镀形成的再布线电路的同时，在该再布线电路上形成由焊料等导电材料形成的热应力缓和柱，在这些再布线电路和热应力缓和柱的周围，除了该热应力缓和柱的上面，形成由聚酰亚胺等构成的绝缘层，此外，在所述热应力缓和柱上形成焊料块，其特征在于，通过丝网印刷来进行所述热应力缓和柱、绝缘层和焊料块的形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
