[发明专利]晶体管基板与显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200410078176.5 | 申请日: | 2004-09-17 |
公开(公告)号: | CN1604330A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 西川龙司;今尾和博;胁田贤;米田清 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L27/15;H01L21/82;H05B33/12;G02F1/136;G09G3/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题为,通过以往的激光回火法使结晶化的多晶硅,因为移动度具备等向性,因此在像素内配置移动度不同的晶体管的情况下,必须使一边的晶体管的大小,相对于另一边的晶体管的大小还大许多。因此使晶体管所占的面积变大,而使开口率下降。本发明的解决手段为,采用于横向结晶的多晶硅来作为晶体管的半导体层,因为此多晶硅的移动度具备异向性,因此通过使一边的晶体管的导电方向与另一边的晶体管的导电方向不同,而可达到,即使采用同一层的半导体层,亦可获得具备不同移动度的晶体管。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶体管基板,其包含,具备在第一方向延伸存在的第一通道区的第一晶体管,及具备在与上述第一方向交叉的第二方向延伸存在的第二通道区的第二晶体管,其特征为:上述第一及第二通道区是由同一层的半导体层所构成,而上述半导体层于上述第一方向中的移动度及上述第二方向中的移动度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的