[发明专利]具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构有效
| 申请号： | 200410078343.6 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1753194A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 武良文;涂如钦;游正璋;温子稷;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多重量子井发光二极管，包括：基板、缓冲层、n型氮化镓层、活性发光层、p型被覆层、p型接触层、位障缓冲层、以及透明接触层。此结构最底层为基板，材质为氧化铝单晶。形成于基板上为缓冲层，材质为氮化铝镓铟。而n型氮化镓层形成于缓冲层上。活性发光层形成于n型氮化镓层之上，材质为氮化铟镓。p型被覆层形成于活性发光层之上，材质为镁掺杂氮化铝铟。p型接触层形成于p型被覆层上，材质为氮化镓。形成于p型接触层上为位障缓冲层，材质为氮化镁或氮化镁/氮化铟或氮化镁/氮化铟镓。形成于位障缓冲层上为透明接触层，材质为铟锡氧化物。以及形成于n型氮化镓层上为n型电极层，材质为Ti/Al或Cr/Au。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 发光 亮度 氮化 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构，包括：一基板，其材质为氧化铝单晶(Sapphire)；一缓冲层(buffer layer)，其材质为氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1、0≤Y＜1，且位于该基板上；一n型氮化镓(GaN)层位于该缓冲层上；一活性发光层，其材质为氮化铟镓(InGaN)，位于该n型氮化镓(GaN)层上；一p型被覆层(cladding layer)，其材质为镁掺杂(Mg-doped)氮化铝铟(Al1-xInxN)，其中0≤X＜1，且位于该性发光层上；一p型接触层，其材质为氮化镓(GaN)，位于该p型被覆层上；一位障缓冲层，其材质为氮化镁(MgN)，位于该p型接触层上；一透明接触层，其材质为铟锡氧化物(ITO)，位于该位障缓冲层上；以及一n型电极层，其材质为Ti/Al或Cr/Au，位于该n型氮化镓层上。
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