[发明专利]氮化镓二极管装置的缓冲层结构无效
| 申请号： | 200410078348.9 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1753198A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 武良文;涂如钦;游正璋;温子稷;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种氮化镓二极管装置的缓冲层结构。此结构是先利用氮化硅SixNy (x，y≥0)低温成长第一缓冲层。在此第一缓冲层里，SixNy形成多个随机分布群聚的屏蔽。然后在此第一缓冲层上再以低温成长氮化铝铟镓AlwInzGa1－w－zN(0≤w，z＜1，w+z≤1)的第二缓冲层。第二缓冲层并非直接成长在第一缓冲层上，而是以磊晶侧向成长(ELOG)方式由第一缓冲层的SixNy屏蔽未遮盖的基板上开始成长，再满溢越过到第一缓冲层的屏蔽上。这种结构可以有效改善公知做法的氮化铝或氮化镓缓冲层缺陷密度过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 二极管 装置 缓冲 结构 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓二极管装置的缓冲层结构，该氮化镓二极管装置从下而上顺序分别包括：基板，由氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石和晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物之一所制成；位于该基板一侧的缓冲层；以及位于该缓冲层上的氮化镓磊晶结构，其中，该缓冲层进一步包括：第一缓冲层，位于该基板上，由有一特定组成的氮化硅SiaNb所构成，其中a，b≥0，厚度介于5～100之间，包含多个随机分布群聚的屏蔽；以及第二缓冲层，由该基板未被该第一缓冲层遮盖的表面往上覆盖于该第一缓冲层上，由有一特定组成的氮化铝铟镓AlcIndGal-c-dN所构成，0≤c，d＜1，c+d≤1，厚度介于50～400之间。
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