[发明专利]高量子效率的影像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗制程与互补式金氧半晶体管制程结合的制程进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物制程之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻制程，此微影蚀刻制程是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。此外，本发明并提供一种高量子效率的影像传感器的结构。

主权项

1.一种高量子效率的影像传感器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成一浅沟槽隔离结构，用以定义一有源区及一感光区；于对应于该感光区的该浅沟槽隔离结构下方形成一感光二极管；移除对应于该感光区的该浅沟槽隔离结构，至暴露出该感光二极管的表面；顺应性形成一第一介电层于该感光二极管表面；以及于该第一介电层上形成一内层介电层，其中该第一介电层的折射系数介于该内层介电层的折射系数与该感光二极管的折射系数之间。