[发明专利]通过表面处理改善半导体纳米晶体的发光效率无效
| 申请号： | 200410078547.X | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1595673A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张银珠;田信爱;成响淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H05B33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 表面 处理 改善 半导体 纳米 晶体 发光 效率 | ||
【主权项】：
1.一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，包括用还原剂表面处理半导体纳米晶体。
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