[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效

申请号：	200410078671.6	申请日：	2004-09-16
公开（公告）号：	CN1604297A	公开（公告）日：	2005-04-06
发明（设计）人：	川西景;岛津宜之;森田纹子	申请（专利权）人：	松下电器产业株式会社
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L27/02;H01L21/82;G11C29/00;G01R31/28
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	汪惠民
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：分别具有所定功能的多个电路；从外部外加电压，向所述电路中对应的电路输出所定的电源电压的多个电源单元；以及当所述多个电源单元中，一个电源单元的输入端子的电压与其它电源单元的输入端子的电压之差是所定范围内的值时，使这些电源单元的输入端子之间成为非导通状态，而当所述差是超过所定范围的值时，使所述多个电源单元的输入端子之间成为导通状态，并相应输入的控制信号，控制是否使所述多个电源单元的输入端子之间成为导通状态的连接单元。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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