[发明专利]加热方法、加热装置、以及图像显示装置的制造方法无效
申请号: | 200410078913.1 | 申请日: | 2004-09-13 |
公开(公告)号: | CN1604274A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 木村明弘;镰田重人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H05B3/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 何腾云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在制造图像显示装置时,为了对构成内置有图像显示装置的容器的基板进行均匀的加热,抑制发生基板的翘曲和破损,在真空容器内,将加热器对向配置在基板的两侧,并用热反射部件所围绕;进一步,配置位于基板的周端面和热反射部件之间的分隔部件;由此对基板进人加热。 | ||
搜索关键词: | 加热 方法 装置 以及 图像 显示装置 制造 | ||
【主权项】:
1.一种加热基板的加热方法,该加热方法使用具有下列构成的加热装置:支持基板的支持部件,对向配置在上述基板的两面的、对上述基板进行加热的多个的热发生体,围绕着上述基板和上述多个的热发生体的热反射部件,收容有上述支持部件、上述热发生体和上述热反射部件的真空容器,以及在上述基板的周端面和上述热反射部件之间的区域上配置分隔部件;其中在对上述真空容器进行排气所形成的减压气氛下,由上述热发生体和上述热反射部件对上述基板进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造