[发明专利]半导体集成电路装置操作分析方法和系统及最优设计方法无效
申请号: | 200410079416.3 | 申请日: | 2004-06-09 |
公开(公告)号: | CN1574289A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 岛崎健二;佐藤和弘;一宫敬弘;岩西信房;雨河直树;平田正明;平野将三 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王志森;黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明包括:基于电路信息通过计算电源端的一个半导体集成电路的每个实例的电压波形并且分析每个实例的电压波形,从而形成电压波形信息的步骤,通过抽象电压波形信息来形成电压抽象信息的步骤,以及基于电压抽象信息来计算实例的一个延迟值的步骤。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 操作 分析 方法 系统 最优设计 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体集成电路装置的操作分析方法,包括步骤:通过基于一个半导体集成电路装置的电路信息,计算在电源端上该半导体集成电路的每个实例的电压波形,并且分析每个实例的电压波形,以便形成电压波形信息;通过抽象该电压波形信息,形成电压抽象信息;并且基于该电压抽象信息计算该实例的一个延迟值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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