[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410079417.8 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1617302A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄成辅 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成第一抗反射层和第一光致抗蚀剂膜；形成第一图像层；形成第二抗反射层和第二光致抗蚀剂膜；形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上并将第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成开口；形成金属层；形成金属图形以填充开口；并除去第二图像层、第二抗反射层、第一图像层和第一抗反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成不包含光敏材料的第一抗反射层和包含硅/光敏材料的第一光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第一光致抗蚀剂膜，由此形成具有预定形状的第一图像层；依序在包括第一图像层的衬底的整个表面上形成不包含光敏材料的第二抗反射层和包含硅/光敏材料的第二光致抗蚀剂膜；曝光并湿显影第二光致抗蚀剂膜，由此形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上，并将通过第二抗反射层暴露的第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成开口；在包括开口的衬底的整个表面上形成金属层；对金属层进行化学机械抛光工艺，由此形成金属图形以填充开口；和除去第二图像层、第二抗反射层、第一图像层和第一抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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