[发明专利]清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法有效
申请号: | 200410079435.6 | 申请日: | 2004-04-14 |
公开(公告)号: | CN1589980A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 寺田好夫;并河亮;宇圆田大介;船津麻美 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;H01L21/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 赵仁临;张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片,其中当保护膜被从清洁层剥离时,根据飞行时间二次离子质谱法,在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-,在清洁层中碎片离子CH3Si+,C3H9Si+,C5H15Si2O+,C5H15Si3O3+,C7H21Si3O2+,CH3SiO-,CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。 | ||
搜索关键词: | 清洁 具有 功能 承载 元件 处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种清洁片,包括清洁层和层压于清洁层上的可剥离的保护膜,其中当保护膜从清洁层剥离时,根据飞行时间二次离子质谱法,在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-,在清洁层中的碎片离子CH3Si+,C3H9Si+,C5H15Si2O+,C5H15Si3O3+,C7H21Si3O2+,CH3SiO-,CH3SiO2-和Si+的相对强度均为0.1或更少。
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