[发明专利]半导体集成电路器件无效
申请号: | 200410079439.4 | 申请日: | 2004-08-23 |
公开(公告)号: | CN1585127A | 公开(公告)日: | 2005-02-23 |
发明(设计)人: | 岸下景介 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 要抑制多个集成电路之中产生的电源电位变化以及到达每个块的电源电位的电压降。一种半导体集成电路器件,提供有作为块2-4的集成电路、用于从馈线端子5-10向块2-4提供电源电位VDD或地电位GND的电源接线11-13、用于连接电源接线11和电源接线12的开关电路14、以及用于连接电源接线11和电源接线13的开关电路15。例如,当开关电路15导通时,块2和块4的电源接线11和电源接线13相连接,由此从两个电源接线提供电源电位,从而抑制电源电位变化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,被分成包括第一块和第二块的多个块,包括:第一电源接线,将电源电位提供到所述第一块;第二电源接线,将电源电位提供到所述第二块;以及开关电路,设置在所述第一电源接线和所述第二电源接线之间,并用于确定是否连接所述第一电源接线和所述第二电源接线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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