[发明专利]检测薄膜磁头的方法和制造薄膜磁头的方法有效
| 申请号： | 200410079441.1 | 申请日： | 2004-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1584623A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 松隈裕树;小桥宗顺 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;新科实业有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在检测薄膜磁头的方法中，准备设置了具有自由层的磁阻膜和铁磁层的薄膜磁头，该自由层的磁化方向根据外部磁场而改变，该铁磁层将一个偏置磁场加载到自由层。然后，沿着加载偏置磁场的方向将一个DC磁场加载到铁磁层。随后，沿着加载偏置磁场的方向将一个AC磁场加载到铁磁层。其后，通过将一个外部磁场加载到磁阻膜同时将一个电流加载于其上来检测薄膜磁头的诸如非对称和复制输出的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 薄膜 磁头 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种检测薄膜磁头的方法，该方法包括步骤：准备一个包括具有自由层的磁阻膜和铁磁层的薄膜磁头，该自由层的磁化方向根据外部磁场而改变，该铁磁层用于将偏置磁场加载到自由层；沿着加载偏置磁场的方向将一个DC磁场加载到铁磁层；此后，沿着加载偏置磁场的方向将一个AC磁场加载到铁磁层；及通过将一个外部磁场加载到磁阻膜，同时向其提供一个电流来检测薄膜磁头的特征。
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