[发明专利]制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200410079704.9 申请日: 2004-09-17
公开(公告)号: CN1599035A 公开(公告)日: 2005-03-23
发明(设计)人: 牧浩;须贺秀幸 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30;H01L21/52;H01L21/68;H01L21/00;B65H41/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种制造半导体器件的方法,其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分,合并了向上推动切割带的三个块,抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块,在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外,在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片,首先,同时向上推动三个块,然后,进一步向上推动中间块和内部块,最后,进一步向上推动内部块。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:将胶带粘到其主表面上形成有集成电路的半导体晶片的背面,此后切割半导体晶片,由此将半导体晶片分成多个半导体芯片;和在多个粘到胶带上的半导体芯片中,在成为剥离目标的半导体芯片的上表面被抽吸式夹头吸取和保持的状态下,对成为剥离目标的半导体芯片下的胶带应用向上的负载,由此从胶带上剥离半导体芯片,其中对胶带应用负载的步骤包括:准备第一推动器块和第二推动器块的步骤,第一推动器块具有第一上表面以及在第一上表面周围的拐角部分,第二推动器块具有设置在该第一上表面内的第二上表面以及在第二上表面周围的拐角部分;通过使第一和第二上表面同时上推胶带的背面来向上地推动胶带的第一步骤;和在第一步骤之后,通过上推第二上表面高于第一上表面来进一步向上地推动胶带的第二步骤。
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