[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410079865.8 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1601714A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 青柳哲理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的制造方法，在具有布线图案(12)的布线基板(10)上，形成具有开口(22)的保护膜(20)，使其表面为凹凸面，并且从开口(22)露出布线图案(12)的一部分。在布线基板(10)上装载具有电极(32)的半导体芯片(30)，使布线基板(12)中从开口(22)的露出部(14)和电极(32)相面对进行电连接。保护膜(20)，其形成为凹凸面的凹部不贯通保护膜(20)。这样，可以制造出可靠性高的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：在具有布线图案的布线基板上形成具有开口的保护摸，使该保护膜的表面为凹凸面，并且通过所述开口使所述布线图案的一部分露出的工序；和在所述布线基板上装载具有电极的半导体芯片后，让所述布线图案中的从开口露出的露出部和所述电极相面对，进行电连接的工序；所述保护膜按照所述凹凸面的凹部不贯通所述保护膜那样形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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