[发明专利]分离双电极酸性化学镀制备集成电路铜互连线的金属化方法无效
| 申请号： | 200410080014.5 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1610066A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;钟声 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/445;C25D3/38;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及分离双电极酸性化学镀制备集成电路铜互连线的金属化方法，属于化学镀应用领域。本方法用硅基板作为阴极，一面镀有难熔金属或其氮化物的硅基板作为阳极，对所述阳极基板暴露在外的硅表面裹覆一层银胶或有机胶保护层，防止其在化学镀过程中的腐蚀；将所述的阴极和阳极分离置于酸性溶液中，该阴极和阳极在酸性溶液中进行氧化还原反应，在难熔金属以及氮化物的硅基板上直接化学镀上一层铜膜。采用此工艺制备的铜膜颗粒均匀细小，与基板结合力强，具有(111)晶粒择优取向，不含氧化亚铜。此方法溶液配置方便，基板保护良好，生产步骤简单，成本低廉，是碱性和单电极酸性化学镀铜方法较好的替代方案。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 电极 酸性 化学 制备 集成电路 互连 金属化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种分离双电极酸性化学镀制备集成电路铜互连线的金属化方法，其特征在于，用硅基板作为阴极，一面镀有难熔金属或其氮化物的硅基板作为阳极，对所述阳极基板暴露在外的硅表面裹覆一层银胶或有机胶保护层；将所述的阴极和阳极分离置于酸性溶液中，该阴极和阳极在酸性溶液中进行氧化还原反应，在难熔金属以及氮化物的硅基板上直接化学镀上一层铜膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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