[发明专利]半导体非易失性存储器装置无效
| 申请号： | 200410080109.7 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1601654A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 立川尚久;藤原淳 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种非易失性存储器装置中，其中包括例如数据“1”是带电电荷、数据“0”是非带电电荷并易受电荷损失的存储单元，当阵列(10)中的数据为“1”计数值大于“0”计数值时，转换写数据，由此使“1”转换为“0”并且使“0”转换为“1”，导致“1”的数量小于“0”的数量，这样改善了阵列(10)中数据的统计可靠性。当读出数据时，将已经转换和写入的数据转换成在进行转换之前的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储单元阵列；写入单元，用于在该阵列中写入数据；第一和第二计数器单元，用于对相对于该写入单元的写数据分别计数阈值增加数据和阈值减少数据；比较单元，用于比较该第一计数器单元的计数值和该第二计数器单元的计数值；存储器单元，用于存储该比较单元的比较结果；和数据转换单元，用于根据该存储器单元的信息确定是否转换该写数据的极性，并将该数据输出到该写入单元。
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