[发明专利]拉伸半导体结构有效
| 申请号： | 200410080112.9 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1607643A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·A·沙欣 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于原位形成低缺陷的拉伸硅的方法以及根据该方法形成的器件。在一个实施例中，在衬底上形成硅锗层，所述硅锗层的一部分被去除以暴露出将用平滑剂使其平滑的表面。在硅锗层上形成拉伸硅层。在各种实施例中，整个方法在保持在真空下的单个处理室中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 拉伸 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在处理室内，在衬底上形成硅锗层；在所述处理室内，去除所述硅锗层的一部分；在所述处理室内，使所述硅锗层的表面平滑；以及在所述硅锗层的已平滑的表面上形成硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
