[发明专利]一种制备高产量氧化锌纳米电缆的方法无效
| 申请号： | 200410080423.5 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1588569A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张跃;贺建;黄运华;顾有松;纪箴 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备高产量ZnO纳米电缆的方法，具体工艺为：将硅(100)基片在HNO3+HF溶液中超声清洗并用去离子水和酒精分别冲洗干净，之后在其上溅射一层15～25纳米厚的金膜。将纯锌粉和纯锡粉质量比1∶1，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中。把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟，在此气氛下将管式炉升温至530～570℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品为具有核心ZnO/包敷层SiOx结构的纳米电缆。本发明的优点在于：实现了大范围的可控生长，并极大地降低了制备温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 产量 氧化锌 纳米 电缆 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备高产量ZnO纳米电缆的方法，其特征在于：具体工艺为：a、将硅(100)基片在HNO3+HF溶液中超声清洗并用去离子水和酒精分别冲洗干净，之后在其上溅射一层15～25纳米厚的金膜，HNO3+HF溶液摩尔比在2∶1，金膜是采用磁控溅射仪镀在硅基片上的，其厚度用自带的石英晶体震荡器控制，单晶硅是制备一维氧化物纳米材料常用的沉积基片，沉积一层金膜是作为催化剂使ZnO/SiOx纳米电缆实现外延生长；b、将纯锌粉和纯锡粉质量比1∶1，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将镀有金膜的硅基片倒扣于瓷舟上；c、把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟，在此气氛下将管式炉升温至530～570℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品为具有核心ZnO/包敷层SiOx结构的纳米电缆。
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