[发明专利]自旋晶体管有效

专利信息
申请号: 200410080485.6 申请日: 2004-10-11
公开(公告)号: CN1761069A 公开(公告)日: 2006-04-19
发明(设计)人: 黄瀛文;卢志权;谢蓝青;姚永德;黄得瑞;朱朝居 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L29/70 分类号: H01L29/70
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种自旋晶体管,是利用单一势垒结构,来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率,其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻,集电极为被动组件,用以提供单一势垒,基极是间隔于发射极与集电极之间,分别电性导通于发射极与集电极,基极电阻则连接于基极以提供偏压。
搜索关键词: 自旋 晶体管
【主权项】:
1、一种自旋晶体管,其特征在于,其包含有:一发射极,为一磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下提供不同电阻;一集电极,为一被动组件,用以提供一势垒;一基极,间隔于该发射极与该集电极之间,该发射极与该集电极透过该基极形成电性导通;及一基极电阻,连接于该基极以提供一偏压。
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