[发明专利]自旋晶体管有效
申请号: | 200410080485.6 | 申请日: | 2004-10-11 |
公开(公告)号: | CN1761069A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 黄瀛文;卢志权;谢蓝青;姚永德;黄得瑞;朱朝居 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L29/70 | 分类号: | H01L29/70 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种自旋晶体管,是利用单一势垒结构,来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率,其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻,集电极为被动组件,用以提供单一势垒,基极是间隔于发射极与集电极之间,分别电性导通于发射极与集电极,基极电阻则连接于基极以提供偏压。 | ||
搜索关键词: | 自旋 晶体管 | ||
【主权项】:
1、一种自旋晶体管,其特征在于,其包含有:一发射极,为一磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下提供不同电阻;一集电极,为一被动组件,用以提供一势垒;一基极,间隔于该发射极与该集电极之间,该发射极与该集电极透过该基极形成电性导通;及一基极电阻,连接于该基极以提供一偏压。
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