[发明专利]虚级联恢复过程中实现无损重排的方法有效
申请号: | 200410080496.4 | 申请日: | 2004-10-11 |
公开(公告)号: | CN1761177A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 周炼 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H04J3/06 | 分类号: | H04J3/06;H04J3/24 |
代理公司: | 北京金硕果知识产权代理事务所 | 代理人: | 张玫 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种虚级联恢复过程中实现无损重排的方法,其主要思想是采用复用处理的方式完成虚级联顺序重排过程,数据重排过程和延时补偿共用一个RAM;通过芯片内部的交叉RAM,生成交叉地址;配置变化时在读出方向做特殊处理。本发明通过用交叉RAM生成补偿RAM的高位地址,从而达到顺序重排的目的,由于顺序重排过程和延时补偿过程共用了一个RAM,减少了完成这部分功能所占用的资源。当配置发生变化时,将写入方向的变化时刻同步到读出方向,在空闲段更新配置信息,并且在读方向在配置变化时不需要复位交叉RAM和补偿RAM,所以按照LCAS协议规定所作的配置变化不会导致数据丢失。 | ||
搜索关键词: | 级联 恢复 过程 实现 无损 重排 方法 | ||
【主权项】:
1、虚级联恢复过程中实现无损重排的方法,其特征在于包括下列步骤:第一步、将补偿RAM按照虚级联成员的最多个数划分成多个存储块,每个成员对应其中一个存储块,该成员的数据仅存放于所对应的存储块;第二步、按照时隙编号的顺序将成员数据写入各自对应的存储块;第三步、根据成员的SQ,通过内部交叉RAM生成补偿RAM的高位读地址;第四步、生成补偿RAM的读地址低位:按照SDH标准结构生成读出方向时序,同一个虚级联组的所有成员的读出时序相同,并设立正负调整机会位置,在读出方向的净荷指示下,增加读地址低位;第五步、用上述生成的补偿RAM的读地址从补偿RAM中读出数据。
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