[发明专利]利用无电镀化学的深通孔晶种修复无效
| 申请号： | 200410080692.1 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1614777A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·S·多里;肯尼思·N·黄 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了在纵横比较大的通孔内形成连续晶种层的方法及其相关结构。这些方法包括：在衬底中形成凹槽，在该凹槽内形成非连续的金属层，激活该凹槽内非连续的金属层和多个未沉积区域，在该凹槽内经激活的非连续金属层和多个未沉积区域上无电地沉积晶种层，以及在晶种层上电镀金属填充层，从而形成基本无空隙的经填充的凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电镀 化学 深通 孔晶种 修复 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶种层的方法，包括：在衬底中的凹槽内形成非连续的金属层；激活所述凹槽内的所述非连续的金属层和至少一个未沉积区域；以及在所述凹槽内的所述非连续的金属层上和所述至少一个未沉积区域上无电地沉积晶种层。
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