[发明专利]具有改善的驱动电流的半导体组件及其制造方法

摘要

一种高效能且具改善驱动电流的半导体组件及其制造方法。该半导体组件具有建立于一有源区上的源极与漏极区，组件长度是异于其宽度。制造一或一个以上的隔离区于该有源区周围，接着将该隔离区填充以一预定的隔离材料，其体积收缩经一退火程序后是超过0.5％，之后形成一栅电极于该有源区上，并形成一或一个以上的介电质间隔物是于该栅电极旁，之后再将一接触蚀刻停止层覆盖于组件上。其中该隔离区、间隔物以及接触蚀刻停止层对于施加于有源区上的净应变的调和均有贡献，因此可改善驱动电流。

主权项

1.一种制造具有改善的驱动电流的半导体组件的方法，该半导体组件具有形成于一有源区上的源极与漏极区，而该有源区的长度是不同于其宽度，其是包括下列步骤：制造一或一个以上的以一隔离材料填满的隔离区围绕于该有源区；以及将该隔离区退火；其中该隔离材料于退火后至少具有0.5％的体积收缩，以及其中由该隔离材料的收缩所导致位于该有源区长的方向的应力是异于位于该有源区宽的方向由隔离材料收缩所导致的应力。